سامسونگ اولین حافظه DRAM صنعت با ظرفیت ۲۴ گیگابیت (۳ گیگابایت) را معرفی کرد. این حافظه برای دیتاسنتر‌ها، ایستگاه‌های کاری هوش مصنوعی، کارت‌های گرافیک، کنسول‌های بازی و سیستم‌های رانندگی خودران طراحی شده است.
بهبود سرعت و بهره‌وری انرژی در حافظه DRAM جدید سامسونگ
غول کره‌ای سال گذشته نیز یک DRAM با ظرفیت ۱۶ گیگابیت را معرفی کرده بود و اکنون ظرفیت حافظه جدید دو برابر شده است. سامسونگ اعلام کرد که این حافظه بر پایه فرآیند ۱۰ نانوم‌تری نسل پنجم ساخته شده که تراکم سلولی را حتی بدون تغییر در ابعاد تا ۵۰ درصد بهبود می‌بخشد.
شرکت ادعا می‌کند که با بهره‌گیری از فناوری مدولاسیون سه‌سطحی پالس دامنه، سرعت در DRAM جدید به ۴۲.۵ گیگابیت در ثانیه رسیده که ۲۵ درصد بیشتر از نسل قبلی است. علاوه بر این، بهره‌وری انرژی نیز بیش از ۳۰ درصد ارتقا یافته است.
با استناد به این آمار‌ها، سامسونگ می‌گوید حافظه جدید بیش‌ترین ظرفیت و سرعت را در میان حافظه‌های DRAM ارائه می‌دهد.
به گزارش منابع فنی، با وجود این DRAM جدید، پردازنده‌های گرافیکی به ۳ گیگابایت ظرفیت حافظه برای هر چیپ دسترسی خواهند داشت. در نسل قبلی، حافظه ارائه شده به پردازنده‌های گرافیکی ۲ گیگابایت بود. برای مثال، یک پردازنده گرافیکی ۱۲۸ بیتی می‌تواند از حداکثر ۱۲ گیگابایت VRAM بهره‌مند شود.
روال اعتبار‌سنجی سامسونگ برای این حافظه DRAM امسال با شرکتهای توسعه‌دهنده کارت‌های گرافیک آغاز می‌شود و اگر همه چیز طبق برنامه پیش برود، تولید انبوه از ابتدای سال می‌لادی آینده آغاز خواهد شد.
